曲线挠率 τ：一条三维曲线“离不离得开平面”的度量，公式就是 (r′×r″)·r''' / κ^2。
联络挠率 T：一个联络“扭不扭曲”的度量，定义为 Γ 的反对称部分，决定平行移动是否“旋转”。
二者同名不同义，做题、读论文时先看清上下文是“曲线”还是“联络”。
容易混淆的场景：
A. 空间曲线的挠率 τ(t) —— 描述“曲线偏离平面”的程度；
B. 微分几何里联络的挠率张量 T —— 描述“平行移动时是否产生无穷小旋转”。
A. 空间曲线的挠率 τ(t)
1. 直观意义
把一条三维曲线 r(t) 投影到密切平面(osculating plane)上，如果曲线始终躺在该平面内，则 τ=0；一旦开始“螺旋上升”，τ≠0，其符号给出螺旋方向（右手/左手）。
2. 定义式
给定弧长参数 s（|r′(s)|=1），有正交标架 {T,N,B}：
T = r′(s) (切向量)
N = T′/|T′| (主法向量)
B = T×N (副法向量)
挠率 τ(s) 由 Frenet-Serret 方程给出：
B′(s) = -τ(s) N(s)
即：副法向量的变化率就是“平面倾斜的角速度”乘上主法向量。
3. 参数 t 任意时的实用公式
若曲线以任意参数 t 给出 r(t)，则
τ(t) = (r′(t) × r″(t)) · r'''(t) / |r′(t) × r″(t)|^2
分母是曲率 κ(t) 的平方乘 |r′|，所以公式也可写成
τ = (r′, r″, r''') / κ^2 |r′|
其中 ( , , ) 表示标量三重积。
4. 例子
圆：τ = 0（始终在同一平面）。
圆柱螺旋 r(t)=(a cos t, a sin t, bt)
κ = a/(a^2+b^2), τ = b/(a^2+b^2)
读法：b 越大（螺距越陡），τ 越大。
5. 物理/工程读法
DNA 双螺旋：τ 给出每上升一单位长度“扭转角”。
机器人轨迹规划：τ 与导线的“机械扭转”直接相关。
B. 联络的挠率张量 T
1. 出现场景
在 n 维流形上给定一个仿射联络 ，不一定是对称的。挠率张量定义为
T(X,Y) = X Y - Y X - [X,Y]
其中 X,Y 是向量场，[X,Y] 是李括号。
分量形式：
几何意义
量度无穷小平行四边形闭合失败：把两个坐标方向上的无穷小向量先沿对方平行移动，所得端点的坐标差正比于 T^{i}_{jk}。
与联络的关系
若联络 Γ^{i}_{jk} 对称于下指标（即 Γ^{i}_{jk} = Γ^{i}_{kj}），则挠率为零；
黎曼几何默认 无挠（ T=0），而Cartan 几何、弦理论、有挠引力中 T ≠ 0。
2. 几何意义
取无穷小平行四边形，若 T≠0，则沿不同顺序平行移动得到的“缺口”不是零，而是一个与 T 成正比的无穷小向量。
在黎曼几何里通常要求联络无挠（Γ^i{jk}=Γ^i{kj}），即 Levi-Civita 联络。但广义相对论里如果考虑“有挠引力”(Einstein-Cartan 理论)，T 与自旋密度耦合。
3. 二维曲面特例
对于曲面嵌入 R^3，若采用 Levi-Civita 联络，则 T=0；若故意引入非对称联络，T 描述“切平面内部的小旋转”。
C. 应用的不同
曲线挠率 τ 是“运动学量”，刻画三维轨迹的局部螺旋度；联络挠率 T 是“几何-场论量”，刻画时空或介质中“平行移动是否自带微小旋转”。
曲线挠率 τ 的物理应用——“三维轨迹的螺旋计”
1. 经典质点力学
粒子轨迹 r(t) 的 τ(t) 直接给出瞬时“螺旋角速度”：
其中 κ 为曲率，v 为速率。
带电粒子在均匀磁场 B 中的螺旋线：
κ = (qB sinθ)/(m v), τ = (qB cosθ)/(m v)
实验上测 κ、τ 就能同时定 |B| 与入射角 θ。
2. 机械/航天工程
机器人关节路径规划：让 τ≈0 得到“平面关节轨迹”，避免额外扭转负载；
航天器再入弹道：τ 的符号决定滚转方向，影响热防护层周向热流分布。
3. 材料-生物力学
DNA 双螺旋：τ 给出每碱基对上升 0.34 nm 时的“旋转角密度”≈ 36°/0.34 nm；
钢丝绳、光纤的扭转疲劳寿命直接写成 τ 的积分阈值。
4. 图形学/视觉
三维扫描得到的离散点云，用 κ-τ 滤波可识别“刚性螺旋特征”（如钻头沟槽、螺旋楼梯扶手）。
联络挠率张量 T 的物理应用——“时空/介质的内禀扭转”
1. 广义相对论与引力
Einstein-Cartan 理论：把 T 作为独立场量，与物质自旋密度张量 S^{μνρ} 耦合
结果是“有挠无曲”时空，解释早期宇宙极高密度自旋相的涡旋结构。
扭量 (torsion) 产生的额外引力加速度：
a_torsion ≈ (c^2/2) T，可为星系旋转曲线提供不依赖暗物质的备选机制。
2. 连续介质-缺陷理论
晶体位错的连续场论：T 直接对应位错密度；
∮C T = b (伯格斯矢量)。
弹性杆宏观扭转变形：
θ′ = T_12，给出每单位长度的扭转角，与实验扭矩线性关系 M = GJ θ′。
3. 粒子物理与宇宙学
弦/膜世界：Kalb-Ramond 场 B{μν} 的外微分给出 T；
低能有效作用量里出现 ∝ T∧T 的四费米子相互作用，可能在中微子质量机制中留下痕迹。
4. 微机电系统 (MEMS)
微梁谐振器若存在制造残余扭转，其第一阶固有频率偏移 Δf/f ≈ -(L^2/2π^2) T^2；
利用这一公式可反推工艺残余应力梯度。
对照表：一句话分清“τ vs T”的物理身份
口诀：
“曲线 τ 看轨迹，螺旋松紧一目了然；
联络 T 看平行，时空晶体暗藏旋转。”